[发明专利]电阻存储器及其制作方法无效
| 申请号： | 200910051868.3 | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101894806A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 黄晓辉;季明华;宋立军;吴金刚;林殷茵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8256 | 分类号： | H01L21/8256;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电阻存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的层间介质层；在层间介质层内形成第一互连结构；在第一互连结构和层间介质层上形成电阻可变存储介质层，所述电阻可变存储介质层为金属硅氧化物；在电阻可变存储介质层上形成第二互连结构。本发明可以极大的提高电阻存储器的低阻电阻值，减小从低阻到高阻的编程电流，从而减小存储器的整体功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电阻存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的层间介质层；在层间介质层内形成第一互连结构；在第一互连结构和层间介质层上形成电阻可变存储介质层，所述电阻可变存储介质层为金属硅氧化物；在电阻可变存储介质层上形成第二互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
