[发明专利]一种CuxO基电阻型存储器的制备方法有效
| 申请号： | 200910051873.4 | 申请日： | 2009-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101894907A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;吕杭炳;周鹏;王明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 包兆宜 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CuxO基电阻型存储器制备方法，属于集成电路制造技术领域。通过在CuSi化合物缓冲层上氧化形成CuxO基存储介质后，再对CuxO基存储介质进行硅化处理，能够在CuxO基存储介质中的掺入的更多Si元素，实现Si元素在CuxO基存储介质中整体分布相对更均匀，特别是在CuxO基存储介质上表层也形成了Si元素掺杂，从而提高该电阻型存储器的Ron和数据保持特性。采用该方法制备的CuxO电阻型存储器具有低功耗、长数据保持特性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cuxo 电阻 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CuxO基电阻型存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对铜下电极构图硅化处理生成CuSi化合物缓冲层；(2)对所述CuSi化合物缓冲层氧化，生成CuxO基存储介质；(3)在所述CuxO基存储介质上硅化处理；(4)构图形成上电极。
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