[发明专利]氧化物缓冲层及其制备方法无效
| 申请号： | 200910052051.8 | 申请日： | 2009-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101562065A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 范峰;鲁玉明;周文谦;刘志勇;蔡传兵 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01B12/04 | 分类号： | H01B12/04;H01B13/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氧化物缓冲层及其制备方法，氧化物缓冲层的化学式为YxCe1-xO2-0.5x，其中，0.2≤x≤0.8。氧化物缓冲层的制备方法包括：A.金属靶材的制备；B.金属基底的清洗和固定；C.气路清洗；D.直流反应溅射腔体的气压调制，其中，对直流反应溅射腔体抽真空，直至背底真空达到10-5Pa或以下；接着通入体积比为Ar∶H2＝19∶1的混合气体，直至直流反应溅射腔体压强达到1～10Pa；E.预溅射；F.正式溅射。通过上述方法制备的氧化物缓冲层具有高度的双轴织构、低表面粗糙度，且厚度得到较大提高，能够满足YBCO(YBa2Cu3O7-x)高温超导层的外延生长需要。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 缓冲 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物缓冲层，其特征在于该缓冲层的化学式为YxCe1-xO2-0.5x，其中，0.2≤x≤0.8。
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