[发明专利]减少晶片处理过程中电弧产生的方法有效
| 申请号： | 200910052188.3 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101901749A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 周锋;金海亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种减少晶片处理过程中电弧产生的方法，包括：取晶片，利用机械手将该晶片置于反应室的加热盘上，其中该晶片半径大于所述加热盘半径；在晶片表面沉积与晶片颜色不同的薄膜；测量晶片置于加热盘的一面上至少四个径向方向上所沉积的薄膜的宽度，其中所述四个径向方向依次成90度；利用成180度的径向方向上的薄膜宽度之差控制所述机械手的运动。可见，其利用晶片背面形成薄膜的情况来调整机械手(robot)的换手(handoff)位置，解决了困扰技术人员已久的换手位置难于调节的问题。同时，利用该方法进行换手调节，可提高晶片中心与加热盘中心的对准程度，进而减少电弧的产生，提高半导体产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 晶片 处理 过程 电弧 产生 方法 | ||
【主权项】：
一种减少晶片处理过程中电弧产生的方法，包括：取晶片，利用机械手将该晶片置于反应室的加热盘上，其中该晶片半径大于所述加热盘半径；在晶片表面沉积与晶片颜色不同的薄膜；测量晶片置于加热盘的一面上至少四个径向方向上所沉积的薄膜的宽度，其中所述四个径向方向依次成90度；利用成180度的径向方向上的薄膜宽度之差控制所述机械手的运动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
