[发明专利]位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器

摘要

本发明属于动态随机存储器(DRAM)技术领域，具体为一种位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器。本发明提供的增益单元eDRAM单元包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、等效寄生电容以及一条位线，使用该条位线代替现有技术增益单元eDRAM单元的写位线和读位线，由于只包括一条位线，具有单元面积小的特点，并且在写位线和读位线合并后不影响增益单元eDRAM单元的存储特性。使用增益单元eDRAM单元的增益单元eDRAM具有存储密度相对高的特点。

主权项

一种增益单元eDRAM单元，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线以及等效寄生电容，写MOS晶体管的栅极连接于所述写字线，其特征在于，还包括一条位线，写MOS晶体管的漏端/源端连接于所述位线，写MOS晶体管的源端/漏端连接于所述等效寄生电容的存储电荷端，读MOS晶体管的栅极连接于所述等效寄生电容的存储电荷端，读MOS晶体管的漏端/源端连接于所述位线，读MOS晶体管的源端/漏端连接于读字线。