[发明专利]半导体器件制作方法及系统无效
| 申请号： | 200910052537.1 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101908482A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙;史运泽;李亮;沈忆华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/3105;H01L21/8247;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体器件制作方法及系统，所述半导体器件包括HTO，以提高HTO的质量进而提高半导体器件的性能。该方法包括：在基体上沉积HTO膜层；对HTO膜层进行退火处理，该退火处理的反应物为氢气和氧气，或者为氢气与氧化氮。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制作方法，所述半导体器件包括高温氧化膜膜层，其特征在于，包括：在基体上沉积高温氧化膜膜层；对高温氧化膜膜层进行退火处理，该退火处理的反应物为氢气和氧气，或者为氢气与N2O。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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