[发明专利]一种采用双镶嵌工艺制造半导体元件的方法无效
| 申请号： | 200910052551.1 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101567332A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 李全宝;潘骏翊;周磊 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31;H01L21/311;G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的提供一种提高双镶嵌制造工艺中沟槽图形化可控性的方法，其包括如下步骤：介质孔图案光刻胶涂布；介质孔图案蚀刻；底部抗反射涂层涂布；底部抗反射涂层回蚀；沟槽图案光刻胶涂布；沟槽图案蚀刻。其特征在于：在底部抗反射涂层涂布步骤之后，沟槽图案光刻胶涂布步骤之前进行底部抗反射涂层回蚀的步骤。通过加入该底部抗反射涂层回蚀步骤可以使后续的光刻胶厚度即使在介质孔图案轮廓不均匀的情况下仍然能够保持较好的均一性，从而解决在没有底部抗反射涂层回蚀步骤的传统双镶嵌工艺中不同介质孔图形中涂覆底部抗反射涂层后进行沟槽蚀刻时，光刻胶厚度不同造成后续工艺的窗口不够而导致沟槽图形化可控化降低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 镶嵌 工艺 制造 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双镶嵌工艺制造方法，其包括如下步骤：介质孔图案光刻胶涂布；介质孔图案蚀刻；底部抗反射涂层涂布；沟槽图案光刻胶涂布；沟槽图案蚀刻；其特征在于：在底部抗反射涂层涂布步骤之后，沟槽图案光刻胶涂布步骤之前进行底部抗反射涂层回蚀的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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