[发明专利]在硅片上复合ZnO锥状纳米结构的半导体材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910052613.9 | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101580405A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 汪阳;郁可;李立珺;朱自强 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利事务所 | 代理人： | 徐筱梅 |
| 地址： | 200241*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅片上复合ZnO锥状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，衬底表面生长有ZnO晶体；所述的ZnO晶体沿垂直于硅衬底方向生长并呈六角纤锌矿尖锥型结构，长度为5～10μm，底端直径为3～6μm，尖端为100～150nm；制备方法采用醋酸锌水溶液加入氨水置于高压釜中反应，得到ZnO锥状纳米结构。本发明具有成本低，生长温度低，重复性高等优点，且生成的ZnO锥状纳米结构具有纳米级的尖端，底部是六角状结构，其独特的构造，使得它可用于高效的场发射材料，且可用于制作各种精密仪器的探头；也可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺，适合于集成纳米光电子器件的发展。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 复合 zno 纳米 结构 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在硅片上复合ZnO锥状纳米结构的半导体材料，包括衬底，其特征在于该衬底采用硅片，其表面生长有ZnO晶体；所述的ZnO晶体沿垂直于硅衬底方向生长。
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