[发明专利]一种多阈值高压MOSFET器件有效
| 申请号： | 200910052701.9 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101635310A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 黎坡;张拥华;周建华;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多阈值高压MOSFET器件，属于金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。多阈值高压MOSFET器件包括栅电极、栅介质层、源极、漏极、偏移区以及半导体衬底，栅电极构图形成于栅介质层之上，通过栅电极的构图修改未被栅电极覆盖的栅介质层与被栅电极覆盖的栅介质层的面积比，导致单位面积电容Cox变化来调整所述多阈值高压MOSFET的阈值电压。该多阈值高压MOSFET器件具有阈值电压易于实现变化的特点，并且若干个多阈值高压MOSFET的栅电极的构图过程中，可以在同一掩膜版上实现若干个多阈值高压MOSFET的栅电极的构图差异化，并可以在同一次刻蚀中完成，制造工艺简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 高压 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
1.一种多阈值高压MOSFET器件，包括栅电极、栅介质层、源极、漏极、偏移区以及半导体衬底，所述多阈值高压MOSFET器件的工作电压大于或等于12伏，其特征在于，所述栅电极构图形成于栅介质层之上，所述栅介质层包括被栅电极覆盖的第一部分栅介质层和未被栅电极覆盖的第二部分栅介质层，通过栅电极的构图修改第二部分栅介质层与第一部分栅介质层的面积比，以调整所述多阈值高压MOSFET的阈值电压。
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