[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制作方法有效
| 申请号： | 200910052797.9 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101635271A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 肖海波 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：在半导体基底上形成所述浅沟槽；在所述浅沟槽侧壁和底部生长衬垫氧化层；在所述浅沟槽内以及半导体基底上生长绝缘介质；对所述绝缘介质的表面进行研磨和湿法刻蚀处理；在所述浅沟槽内的绝缘介质周围生长保护氧化层；进行退火处理；使用干刻蚀法去除半导体基底上的保护氧化层；在所述浅沟槽内的绝缘介质两侧的所述半导体基底材料上沉淀牺牲氧化层。本发明能够减少沟槽内的绝缘介质被刻蚀，从而减少制成的器件发生漏电的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：S1：在半导体基底上形成所述浅沟槽；S2：在所述浅沟槽侧壁和底部生长衬垫氧化层；S3：在所述浅沟槽内以及半导体基底上生长绝缘介质；S4：对所述绝缘介质的表面进行研磨和湿法刻蚀处理；S5：在所述绝缘介质周围生长保护氧化层；S6：进行退火处理；S7：使用干刻蚀法去除半导体基底上的保护氧化层；S8：在所述浅沟槽内的绝缘介质两侧的所述半导体基底材料上沉淀牺牲氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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