[发明专利]钝化光刻胶表面的方法以及光刻方法有效
| 申请号： | 200910053501.5 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101930179A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;黄怡;韩秋华;沈满华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;H01L21/3105;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种钝化光刻胶表面的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成图形化的光刻胶层；对所述图形化的光刻胶层的表面进行等离子体处理以钝化其表面，通过光刻胶层表面的气体中含有氮气和氢气。本发明的优点在于，采用氮气和氢气所组成的等离子体对光刻胶进行钝化处理，在光刻胶层表面形成一层致密的钝化层，因此能够阻挡后续刻蚀工艺对光刻胶层的影响，延长其耐受蚀刻的时间，确保图形转移的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 光刻 表面 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种钝化光刻胶表面的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成图形化的光刻胶层；对所述图形化的光刻胶层的表面进行等离子体处理以钝化其表面；其特征在于，通过光刻胶层表面的气体中含有氮气和氢气。
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