[发明专利]一种用于刻蚀硅的反应离子刻蚀方法有效
| 申请号： | 200910053598.X | 申请日： | 2009-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101928941A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 崔在雄;安东炫;李柯奋;吴万俊 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/12 | 分类号： | C23F1/12 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东华东路5*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于刻蚀硅的反应离子刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。在该反应离子刻蚀方法中，采用的刻蚀气体包括含氟元素的气体和与硅反应形成钝化层的气体，刻蚀过程结束时，先停止通入氟元素的气体再停止通入与硅反应形成钝化层的气体。通过该方法刻蚀硅形成的孔洞，具有相对较小的底切效应和碗形效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 刻蚀 反应 离子 方法 | ||
【主权项】：
一种用于刻蚀硅的反应离子刻蚀方法，采用的刻蚀气体包括第一气体和第二气体，所述第一气体为含氟元素的气体，所述第二气体为用于与硅反应形成钝化层的气体，其特征在于，刻蚀过程结束时，先停止通入第一气体再停止通入第二气体。
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