[发明专利]一种电熔丝器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910053709.7 | 申请日： | 2009-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101645434A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 宗登刚 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种电熔丝器件及其制造方法，所述电熔丝器件设置在衬底的一绝缘层上，其包括多晶硅层以及形成在多晶硅层上的硅化物层。现有技术中对多晶硅层仅进行一种类型的掺杂，或进行两种不同类型的掺杂形成一PN结或在掺杂类型相反的两区域间再形成一个不掺杂或掺杂的区域，存在着熔断后电阻可能较小的问题。本发明在多晶硅层两侧的第一引出区和第二引出区进行同种类型的掺杂，而在中间区进行不同类型的掺杂，从而在多晶硅层上形成两个反向连接的PN结。本发明可极大地提高多晶硅层的电阻，直接在多晶硅层形成双向高阻抗通道，从而增大电熔丝器件熔断后的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电熔丝 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电熔丝器件，设置在衬底的一绝缘层上，其包括多晶硅层以及形成在多晶硅层上的硅化物层，所述多晶硅层具有依次排布的第一引出区、中间区和第二引出区，其特征在于，所述第一引出区与第二引出区的掺杂类型相同，与中间区的掺杂类型相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910053709.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有触摸板式鼠标的鼠标垫
- 下一篇：一种盛装式商品贩卖装置
