[发明专利]MOS晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 200910054099.2 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101930923A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅介质层和多晶硅层；对栅介质层和多晶硅层进行刻蚀；对刻蚀后的多晶硅层进行氧化；还包括：执行氧化后退火。本发明在对刻蚀后的多晶硅层氧化之后、进行LDD注入和Halo注入之前加入氧化后退火，可以大部分消除半导体衬底内形成的缺陷，防止在后续LDD注入和Halo注入的掺杂离子与这些氧化多晶硅过程中形成的缺陷相互作用造成更多的缺陷，因此，在LDD注入后的退火中可以抑制氧化增强扩散效应，防止器件受到短沟道效应的影响。同时，采用氧化后退火可以达到修复多晶硅栅氧化层缺陷的作用，从而增强器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅介质层和多晶硅层；对栅介质层和多晶硅层进行刻蚀；对刻蚀后的多晶硅层进行氧化，在多晶硅层外围形成第一氧化层；其特征在于，还包括：执行氧化后退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
