[发明专利]SiSb基相变材料用化学机械抛光液

摘要

本发明涉及一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液，包括如下组分：0.2-30wt％含氧化物抛光颗粒、0.01-5wt％氧化剂、0.01-4wt％表面活性剂、0.01-3wt％有机添加剂，其余为pH调节剂和水性介质。利用本发明的化学机械抛光液对SiSb基相变材料速率可控、表面质量好且低损伤的抛光，可满足制备纳电子相变存储器中CMP工艺的需要。通过该化学机械抛光浆液，SiSb基相变材料的抛光速率可控制在5～2000nm/min，同时表面粗糙度降低到了0.7nm以下。

主权项

1.一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液，包括如下组分：含氧化物抛光颗粒 0.2-30wt％氧化剂 0.01-5wt％表面活性剂 0.01-4wt％有机添加剂 0.01-3wt％pH调节剂和水性介质 其余wt％；所述的含氧化物抛光颗粒为氧化铝、氧化铈、氧化锆、氧化钛或胶体氧化硅，粒径范围10-1500nm；所述的氧化剂为铁氰化钾、双氧水或过硫酸铵；所述的表面活性剂为聚氧乙烯硫酸钠AES、聚丙烯酸钠、聚氧乙烯醚磷酸酯、烷基醇聚氧乙烯基醚或十六烷基三甲基溴化铵；所述的有机添加剂为乙酸、蚁酸、草酸、柠檬酸、对苯二酸、水杨酸、脯氨酸、氨基乙酸、丁二酸或酒石酸；所述的pH调节剂为硝酸、磷酸、氢氧化钾、羟乙基乙二氨或四甲基氢氨，pH值的范围1-11；所述的水性介质为去离子水。