[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200910054406.7 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101937847A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 黄子伦;王晓艳;詹文荣;王金恩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上具有介质层；刻蚀介质层以及介质层下层的半导体基底，在所述介质层和所述半导体基底中形成沟槽；对沟槽侧壁的介质层进行回刻，使沟槽在介质层内的开口增大，沟槽内暴露半导体基底的部分上表面；向所述沟槽内填充绝缘介质；刻蚀所述绝缘介质，直到沟槽位置的绝缘介质的上表面高于半导体基底上表面预定厚度；以所述介质层为掩模，向所述半导体基底离子注入形成阱区的离子；去除所述介质层；对所述半导体基底进行离子注入，形成阱区；在所述阱区中形成金属氧化物晶体管，减小了金属氧化物晶体管的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上具有介质层；刻蚀介质层以及介质层下层的半导体基底，在所述介质层和所述半导体基底中形成沟槽；对沟槽侧壁的介质层进行回刻，使沟槽在介质层内的开口增大，沟槽内暴露半导体基底的部分上表面；向所述沟槽内填充绝缘介质；刻蚀所述绝缘介质，直到沟槽位置的绝缘介质的上表面高于半导体基底上表面预定厚度；以所述介质层为掩模，向所述半导体基底离子注入形成阱区的离子；去除所述介质层；对所述半导体基底进行离子注入，形成阱区；在所述阱区中形成金属氧化物晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910054406.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体封装件
- 下一篇：一种室内外部电极荧光管灯具的生产方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
