[发明专利]提高非易失性存储器性能的方法有效
| 申请号： | 200910054545.X | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101944510A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 沈忆华;宋化龙;潘见;王辛;史运泽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高非易失性存储器性能的方法，在非易失性存储器中制造氧氮氧结构时，包括：在晶圆衬底上沉积得到二氧化硅表面层；在所述二氧化硅表面层上沉积形成氮化硅层；用原位蒸汽产生法产生正价氧离子，与所述氮化硅层反应形成氮氧化硅后，沉积得到高温氧化物层。本发明提供的方法提高了非易失性存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 非易失性存储器 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种提高非易失性存储器性能的方法，在非易失性存储器中制造氧氮氧结构时，包括：在晶圆衬底上沉积得到二氧化硅表面层；在所述二氧化硅表面层上沉积形成氮化硅层；用原位蒸汽产生法产生正价氧离子，与所述氮化硅层反应形成氮氧化硅后，沉积得到高温氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
