[发明专利]存储单元区制作的方法有效
| 申请号： | 200910054546.4 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101944511A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 刘艳;李勇;周儒领;黄淇生;詹奕鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种存储单元区制作的方法：在半导体衬底上依次形成FG氧化层、FG多晶硅层、ONO介质层、CG多晶硅层、CG氮化硅层、CG氧化硅层、CG氮化硅硬掩膜层；在所述CG氮化硅硬掩膜层上涂布光阻胶，并图案化该光阻胶，以该图案化的光阻胶为掩膜，依次刻蚀所述CG氮化硅硬掩膜层、CG氧化硅层、CG氮化硅层、CG多晶硅层和ONO介质层，形成CG；氮化所述FG多晶硅层后，在所形成的CG的两侧制成CG侧壁层；以CG侧壁层和CG为掩膜，刻蚀氮化的所述FG多晶硅层和FG氧化层，形成FG；在CG侧壁层和FG的外侧依次形成氧化层、沉积多晶硅膜，所述多晶硅膜最终将形成EG。本发明提高了浮栅的擦除效率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 制作 方法 | ||
【主权项】：
一种存储单元区制作的方法，包括：在半导体衬底上依次形成浮栅FG氧化层、FG多晶硅层、氧化层‑氮化层‑氧化层ONO介质层、控制栅CG多晶硅层、CG氮化硅层、CG氧化硅层、CG氮化硅硬掩膜层；在所述CG氮化硅硬掩膜层上涂布光阻胶，并图案化该光阻胶，以该图案化的光阻胶为掩膜，依次刻蚀所述CG氮化硅硬掩膜层、CG氧化硅层、CG氮化硅层、CG多晶硅层和ONO介质层，形成CG；氮化所述FG多晶硅层后，在所形成的CG的两侧制成CG侧壁层；以CG侧壁层和CG为掩膜，刻蚀氮化的所述FG多晶硅层和FG氧化层，形成FG；在CG侧壁层和FG的外侧依次形成氧化层、沉积多晶硅膜，所述多晶硅膜最终将形成擦除栅EG。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910054546.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种集成电路及其待机控制方法
- 下一篇：栅极制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
