[发明专利]腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法有效

专利信息
申请号: 200910054627.4 申请日: 2009-07-10
公开(公告)号: CN101599452A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: 王湘;魏星 申请(专利权)人: 上海新傲科技股份有限公司
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762;H01L21/306;H01L21/311
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 翟 羽
地址: 201821*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法,包括如下步骤:提供带有绝缘埋层的衬底,包括支撑层、绝缘埋层和顶层半导体层;在衬底的正面和背面均形成覆盖层;将衬底正面的覆盖层研磨除去;将衬底的正面向下放置于旋转腐蚀载片平台上,通过旋转腐蚀的方法腐蚀正面顶层半导体层的边缘部分;将衬底的正面向上放置于旋转腐蚀载片平台上,腐蚀除去露出的绝缘埋层。本发明的优点在于,利用旋转腐蚀的方法将顶层半导体层和绝缘埋层的边缘除去,从而避免了在后续工艺中产生崩边等情况的发生,并且保证了衬底背面覆盖层的完整,避免了倒角后的衬底由于两面的应力状态不均衡而引起翘曲度的变化。
搜索关键词: 腐蚀 带有 绝缘 衬底 边缘 方法
【主权项】:
1.一种腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法,其特征在于,包括如下步骤:提供带有绝缘埋层的衬底,所述带有绝缘埋层的衬底包括支撑层、绝缘埋层和顶层半导体层;在衬底的正面和背面均形成覆盖层,所述正面是顶层半导体层一侧的表面,背面是与正面相对的另一面;将衬底正面的覆盖层研磨除去;将衬底的正面向下放置于旋转腐蚀载片平台上,将顶层半导体层的腐蚀液通至衬底背面的覆盖层并同时旋转衬底,使腐蚀液流通过衬底的边沿流淌到正面,腐蚀正面顶层半导体层的边缘部分;将衬底的正面向上放置于旋转腐蚀载片平台上,将绝缘埋层腐蚀液通至衬底正面并同时旋转衬底,腐蚀除去衬底边缘由于顶层半导体层被腐蚀除去而露出的绝缘埋层。
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