[发明专利]腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法有效
申请号: | 200910054627.4 | 申请日: | 2009-07-10 |
公开(公告)号: | CN101599452A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 王湘;魏星 | 申请(专利权)人: | 上海新傲科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L21/306;H01L21/311 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 翟 羽 |
地址: | 201821*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法,包括如下步骤:提供带有绝缘埋层的衬底,包括支撑层、绝缘埋层和顶层半导体层;在衬底的正面和背面均形成覆盖层;将衬底正面的覆盖层研磨除去;将衬底的正面向下放置于旋转腐蚀载片平台上,通过旋转腐蚀的方法腐蚀正面顶层半导体层的边缘部分;将衬底的正面向上放置于旋转腐蚀载片平台上,腐蚀除去露出的绝缘埋层。本发明的优点在于,利用旋转腐蚀的方法将顶层半导体层和绝缘埋层的边缘除去,从而避免了在后续工艺中产生崩边等情况的发生,并且保证了衬底背面覆盖层的完整,避免了倒角后的衬底由于两面的应力状态不均衡而引起翘曲度的变化。 | ||
搜索关键词: | 腐蚀 带有 绝缘 衬底 边缘 方法 | ||
【主权项】:
1.一种腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法,其特征在于,包括如下步骤:提供带有绝缘埋层的衬底,所述带有绝缘埋层的衬底包括支撑层、绝缘埋层和顶层半导体层;在衬底的正面和背面均形成覆盖层,所述正面是顶层半导体层一侧的表面,背面是与正面相对的另一面;将衬底正面的覆盖层研磨除去;将衬底的正面向下放置于旋转腐蚀载片平台上,将顶层半导体层的腐蚀液通至衬底背面的覆盖层并同时旋转衬底,使腐蚀液流通过衬底的边沿流淌到正面,腐蚀正面顶层半导体层的边缘部分;将衬底的正面向上放置于旋转腐蚀载片平台上,将绝缘埋层腐蚀液通至衬底正面并同时旋转衬底,腐蚀除去衬底边缘由于顶层半导体层被腐蚀除去而露出的绝缘埋层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新傲科技股份有限公司,未经上海新傲科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910054627.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造