[发明专利]像素结构及其修补方法无效
申请号: | 200910054748.9 | 申请日: | 2009-07-14 |
公开(公告)号: | CN101957524A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 陈建铭;汪广魁;江佳铭;郭启亮 | 申请(专利权)人: | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L21/84 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 215217 江苏省吴江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种可修补的像素结构及其修补方法,其包括一基底、至少一数据线、至少一栅极线、一透明像素电极、一薄膜晶体管以及一透明修补电极,其中该薄膜晶体管包括一栅极、一漏极以及一源极,该透明修补电极在垂直方向上对应至该漏极且与该漏极电连接,当该像素结构发生断路时,即可利用一激光束针对该透明修补电极进行一熔接制程,以修补该像素结构。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 修补 方法 | ||
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于,包括:一基底;一第一金属层设于该基底上,该第一金属层包括至少一栅极线;一第一介电层,设于该基底上且覆盖该第一金属层;一半导体层,设于该第一介电层上,该半导体层包括至少一信道,且该信道位于该栅极线上方;一第二金属层,设于该第一介电层及该半导体层上,该第二金属层包括至少一数据线、至少一源极以及至少一漏极;一第二介电层,设于该第二金属层、该半导体层以及该第一介电层上;以及一透明电极层,设于该第二介电层上,该透明电极层包括一透明像素电极,以及一透明修补电极,其中该透明像素电极与该漏极电连接,该透明修补电极也与该漏极电连接。
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