[发明专利]改善半导体元器件性能的方法无效
| 申请号： | 200910054803.4 | 申请日： | 2009-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101958226A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 居建华;刘兵武;神兆旭 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明中公开了一种改善半导体元器件性能的方法，该方法包括：预先指定半导体元器件制造工艺中的至少一个工艺过程；对所述预先指定的工艺过程进行降低热预算的操作，降低整个制造工艺中的热预算的总量，改善半导体元器件性能。通过使用上述的改善半导体元器件性能的方法，可减小SCE和NWE对半导体元器件所产生的不利影响，改善半导体元器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 半导体 元器件 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善半导体元器件性能的方法，该方法包括：预先指定半导体元器件制造工艺中的至少一个工艺过程；对所述预先指定的工艺过程进行降低热预算的操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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