[发明专利]具有凸半球结构的硅平台制备方法无效
| 申请号： | 200910054918.3 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101602481A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 李以贵;孙健;张冠;陈少军;高阳 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微机电系统技术领域的具有凸半球结构的硅平台制备方法，包括：在硅基片上旋涂一层正光刻胶，将掩模板置于硅基片正上方，利用X射线透过掩模板对硅基片上的光刻胶层进行动态曝光；按照与第一步中动态曝光相垂直的方向，对硅基片进行第二次动态曝光，然后对硅基片上的光刻胶进行显影，制成带有凸半球状光刻胶硅基片；利用湿法腐蚀对硅基片进行刻蚀，当半球形光刻胶被腐蚀完毕后，硅基片表面就形成了硅凸半球形状。本发明采用移动曝光技术只需要在常温下进行，不需要对光刻胶进行高温处理，通过控制光刻胶的厚度来精确得到任意弧度的硅凸半球，可得到的最大弧度为180°。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 半球 结构 平台 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有凸半球结构的硅平台制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、在硅基片上旋涂一层正光刻胶，将掩模板置于硅基片正上方，利用X射线透过掩模板对硅基片上的光刻胶层进行动态曝光；第二步、按照与第一步中动态曝光相垂直的方向，对硅基片进行第二次动态曝光，然后对硅基片上的光刻胶进行显影，制成带有凸半球状光刻胶硅基片；第三步、利用湿法腐蚀对硅基片进行刻蚀，当半球形光刻胶被腐蚀完毕后，硅基片表面就形成了硅凸半球形状。
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