[发明专利]金属-绝缘体-金属电容器的制造方法无效
| 申请号： | 200910054930.4 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101958235A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 郭丰;邬瑞彬;郭启森;王光超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;成都成芯半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，包括下列步骤：在第一金属层上化学气相沉积介电层；在所述介电层上物理气相沉积第二金属层；蚀刻去除电容区以外的第二金属层和部分介电层，所述化学气相沉积使用SiH4，NH3和N2的混合气体，其中NH3和SiH4的流量比例为12∶1～12.4∶1，N2和NH3的流量比例为0.4～0.6∶1。本发明提出的金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，制成的电容器具有良好的电气性能，电容值较高，泄漏电流较小并且崩溃电压值较高。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属‑绝缘体‑金属电容器的制造方法，包括下列步骤：在第一金属层上化学气相沉积介电层；在所述介电层上物理气相沉积第二金属层；蚀刻去除电容区以外的第二金属层和部分介电层，其特征在于，所述化学气相沉积使用SiH4，NH3和N2的混合气体，其中NH3和SiH4的流量比例为12∶1～12.4∶1，N2和NH3的流量比例为0.4～0.6∶1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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