[发明专利]刻蚀方法有效
| 申请号： | 200910054941.2 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101958245A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种刻蚀方法，包括：提供晶圆，所述晶圆表面具有介质层；在所述介质层表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成底部抗反射层；在所述底部抗反射层表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形具有两种或两种以上的密度的图案；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀底部抗反射层，形成底部抗反射层图形；以所述光刻胶图形、底部抗反射层图形为掩膜，刻蚀缓冲层，形成缓冲层图形；减薄底部抗反射层图形；以底部抗反射层图形、缓冲层图形为掩膜，刻蚀介质层，形成接触孔。本发明能够减少刻蚀工艺完成后晶圆表面的缺陷数量。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆表面具有介质层；在所述介质层表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成底部抗反射层；在所述底部抗反射层表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形具有两种或两种以上的密度的图案；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀底部抗反射层，形成底部抗反射层图形；以所述光刻胶图形、底部抗反射层图形为掩膜，刻蚀缓冲层，形成缓冲层图形；减薄底部抗反射层图形；以底部抗反射层图形、缓冲层图形为掩膜，刻蚀介质层，形成接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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