[发明专利]掺碳钇铝石榴石晶体及其两步法制备有效
| 申请号： | 200910054969.6 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101603205A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 李红军;杨新波;徐军;苏良碧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B11/00;C30B31/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光晶体技术领域，公开了一种掺碳钇铝石榴石晶体及其两步法制备。本发明的掺碳钇铝石榴石晶体是在钇铝石榴石晶体中掺入碳元素。本发明还公开了该晶体的制备方法，包括如下步骤：将纯YAG晶体加工成YAG晶片，然后采用高纯碳作为蒸发源对纯YAG晶片进行扩散渗碳处理，制得掺碳钇铝石榴石晶体。本发明采用高纯碳作为蒸发源对纯YAG晶片进行扩散渗碳制备，能够避免制备过程中碳的挥发，该制备方法具有简单高效的特点。本发明中的掺C的YAG晶体具有很高的热释光和光释光灵敏度，在热释光或光释光剂量学领域有潜在应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 掺碳钇铝 石榴石 晶体 及其 步法 制备 | ||
【主权项】：
1.一种掺碳钇铝石榴石晶体，其特征是在钇铝石榴石晶体中掺入碳元素。
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