[发明专利]一种镓酸锂晶体的制备方法有效
| 申请号： | 200910055070.6 | 申请日： | 2009-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101956233A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 杨卫桥;王康平;李抒智;马可军;周颖圆;叶小钰 | 申请（专利权）人： | 上海半导体照明工程技术研究中心 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种镓酸锂晶体的制备方法，包括：将Li2CO3和Ga2O3作为原料混合后压块得到成型体，烧结所述成型体；在真空条件下加热所述成型体得到熔体，将籽晶下到所述熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。按照本发明，在烧结的过程中，可以提高原料纯度，降低晶体生长的挥发。然后，将成型体在真空条件下加热形成熔体，取籽晶下到熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶以降低温场的不均匀性，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。采用冷心下种，可以使固液界面的顶端与籽晶中心重合防止晶体偏心生长，有利于挥发性物质的排出，从而提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镓酸锂 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镓酸锂晶体的制备方法，包括：将Li2CO3和Ga2O3作为原料混合后压块得到成型体，烧结所述成型体；在真空条件下加热所述成型体得到熔体，将籽晶下到所述熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶，经放肩和等径提拉，同时将熔体降温生长镓酸锂晶体。
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