[发明专利]一种降低寄生电容的键合焊盘及其制备方法有效
| 申请号： | 200910055193.X | 申请日： | 2009-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101656239A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 黎坡;张拥华;周建华;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L29/06;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种降低寄生电容的键合焊盘及其制备方法，属于半导体制造技术领域。本发明提供的键合焊盘包括焊盘金属层、通过半导体掺杂而形成的第一半导体掺杂阱区、在第一半导体掺杂阱区中形成的第二半导体掺杂区和在第二半导体掺杂区上表层形成的第一半导体高掺杂区。第一半导体掺杂阱区与第二半导体掺杂区之间形成的结电容、第二半导体掺杂区与第一半导体高掺杂区之间形成结电容和第一半导体掺杂阱区与半导体衬底之间形成的结电容三者串联，降低了键合焊盘的等效寄生电容值；同时，第二半导体掺杂区制备方法简单，键合焊盘的制备工艺成本增加的很小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 寄生 电容 键合焊盘 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种键合焊盘，包括焊盘金属层、形成于半导体衬底上的第一半导体掺杂阱区和形成于第一半导体掺杂阱区中的第一半导体高掺杂区，焊盘金属层通过若干接触连接于第一半导体高掺杂区，其特征在于，还包括第二半导体掺杂区，所述第二半导体掺杂区位于第一半导体掺杂阱区中、且位于第一半导体高掺杂区的大致正下方，所述第二半导体掺杂区在平行于半导体衬底上表面的截面的面积小于第一半导体掺杂阱区在平行于半导体衬底上表面的截面的面积，所述第二半导体掺杂区使第一半导体高掺杂区和位于第二半导体掺杂区下方的第一半导体掺杂阱区之间电学隔离。
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