[发明专利]一种化学机械抛光工艺哑元填充方法有效
| 申请号： | 200910055196.3 | 申请日： | 2009-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101964001A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 曾璇;周海;严昌浩;陶俊;冯春阳 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 包兆宜 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及一种化学机械抛光工艺的哑元填充方法。本发明将求解最小化哑元金属数目的哑元填充问题转化成一类特殊的覆盖线性规划CLP问题，然后根据CLP问题的特点，应用组合优化领域中一种完全多项式时间近似算法FPTAS来求解最小哑元填充问题。该方法既可以保证最终结果的ε最优性，又可以实现最终结果精度和计算速度的折中，解决了现有方法中存在的速度和精度不能兼顾的难题；该方法还可以在线性时间复杂度下，获得近似最少的哑元填充数目，可用于解决大规模版图哑元填充问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械抛光 工艺 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械抛光工艺哑元填充方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：输入待填充的版图、给定版图金属密度的上下界、版图上允许哑元填充的可行区域以及近似精度ε；步骤2：将最小化哑元金属数目的哑元填充问题转化成一种特殊的覆盖线性规划问题；步骤3：应用完全多项式时间近似算法FPTAS求解最小哑元填充问题。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910055196.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
