[发明专利]存储单元失效分析的测试方法有效
| 申请号： | 200910055387.X | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101964213A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 周第廷;张宇飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种存储单元失效分析的测试方法，包括：定义内存区域，所述内存区域中的内存单元与芯片上存储单元数量及位置一一对应；对存储单元进行可调数值范围内的加压，测量得到各存储单元的阈值电压，并将与阈值电压相关的步进值信息存入内存区域对应的内存单元位置，直至所有存储单元的阈值电压都能测试得到；读出内存区域中的与阈值电压相关的步进值信息，生成数据文件；对数据文件进行分析得到阈值电压对应存储单元位置的信息，同时能计算出整个存储芯片阈值电压分布的信息。本发明能很精确地进行阈值电压失效点的定位，提高了测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 失效 分析 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种存储单元失效分析的测试方法，其特征在于，包括：定义内存区域，所述内存区域中的内存单元与芯片上存储单元数量及位置一一对应；对存储单元进行可调数值范围内的加压，测量得到各存储单元的阈值电压，并将与阈值电压相关的步进值信息存入内存区域对应的内存单元位置，直至所有存储单元的阈值电压都能测试得到；读出内存区域中的与阈值电压相关的步进值信息，生成数据文件；对数据文件进行分析得到阈值电压对应存储单元位置的信息，同时能计算出所有存储单元阈值电压分布的信息。
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