[发明专利]一种基于纳米晶的非挥发性存储器无效

专利信息
申请号: 200910055389.9 申请日: 2009-07-24
公开(公告)号: CN101599493A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: 顾靖;张雄;张博;曹子贵;孔蔚然;王永;杨潇楠 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所 代理人: 郑 玮
地址: 201203上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种基于纳米晶的非挥发性存储器。所述基于纳米晶的非挥发性存储器包括一个有源区,所述有源区上方横跨配置多条用于选择地址的字线、以及用于选中读取单元的选择栅,所述有源区上还设置多条用于读取数据的位线,所述位线与所述字线垂直排列,每条字线和有源区之间配置独立的纳米晶,通过本发明提供的技术方案,可以防止由于某一点漏电而影响到存储器整体的数据,所以本发明提供的存储器的数据保持特性更稳定。
搜索关键词: 一种 基于 纳米 挥发性 存储器
【主权项】:
1.一种基于纳米晶的非挥发性存储器,其特征在于,包括衬底上定义的一个有源区,所述有源区上方横跨配置多条用于选择地址的字线、以及用于选中读取单元的选择栅,所述有源区上还设置多条用于读取数据的位线,所述位线与所述字线垂直排列,每条字线和有源区之间配置独立的纳米晶。
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