[发明专利]一种基于纳米晶的非挥发性存储器无效
申请号: | 200910055389.9 | 申请日: | 2009-07-24 |
公开(公告)号: | CN101599493A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 顾靖;张雄;张博;曹子贵;孔蔚然;王永;杨潇楠 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 郑 玮 |
地址: | 201203上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于纳米晶的非挥发性存储器。所述基于纳米晶的非挥发性存储器包括一个有源区,所述有源区上方横跨配置多条用于选择地址的字线、以及用于选中读取单元的选择栅,所述有源区上还设置多条用于读取数据的位线,所述位线与所述字线垂直排列,每条字线和有源区之间配置独立的纳米晶,通过本发明提供的技术方案,可以防止由于某一点漏电而影响到存储器整体的数据,所以本发明提供的存储器的数据保持特性更稳定。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 挥发性 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种基于纳米晶的非挥发性存储器,其特征在于,包括衬底上定义的一个有源区,所述有源区上方横跨配置多条用于选择地址的字线、以及用于选中读取单元的选择栅,所述有源区上还设置多条用于读取数据的位线,所述位线与所述字线垂直排列,每条字线和有源区之间配置独立的纳米晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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