[发明专利]闪存器件的多晶字线顶端区域的制作方法有效
| 申请号： | 200910055433.6 | 申请日： | 2009-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101969049A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 于绍欣;陈建利;韩永召;郭佳衢;蔡信裕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249;H01L21/768;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种闪存器件的多晶字线顶端区域的制作方法，适用于闪存器件的多晶字线及连接的双二极管结构的制作，包括：在P型硅衬底上形成N阱、深层N阱和P阱；在P型硅衬底上形成浅沟槽隔离STI；在STI上形成多晶字线，其中奇数多晶字线顶端成圣诞树形状，通过上层的接触孔经金属层与双二极管结构连接；在STI中通过离子注入，先后在P型源极区和N阱之间形成P型轻掺杂区、P型源极区和P型漏极区以及N型栅极区，构成双二极管结构；对奇数多晶字线、P型源极区、N型栅极区和P型漏极区形成上层接触孔后，其中奇数多晶字线和P型源极区分别通过上层接触孔与同一金属层连接。该方法保证了所制造的闪存器件在应用端具有更好的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 多晶 顶端 区域 制作方法 | ||
【主权项】：
一种闪存器件的多晶字线顶端区域的制作方法，适用于闪存器件的多晶字线及连接的双二极管结构的制作，包括：在P型硅衬底上形成N阱、深层N阱和P阱；在P型硅衬底上形成浅沟槽隔离STI；在STI上形成多晶字线，其中奇数多晶字线顶端成圣诞树形状，通过上层的接触孔经金属层与双二极管结构连接；在STI中通过离子注入，先后在P型源极区和N阱之间形成P型轻掺杂区、P型源极区和P型漏极区以及N型栅极区，构成双二极管结构；对奇数多晶字线、P型源极区、N型栅极区和P型漏极区形成上层接触孔后，其中奇数多晶字线和P型源极区分别通过上层接触孔与同一金属层连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910055433.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种内抱式手动开窗器
- 下一篇：防盗门
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
