[发明专利]闪存器件的多晶字线顶端区域的制作方法有效

专利信息
申请号: 200910055433.6 申请日: 2009-07-27
公开(公告)号: CN101969049A 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 于绍欣;陈建利;韩永召;郭佳衢;蔡信裕 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/8249 分类号: H01L21/8249;H01L21/768;H01L21/265
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 牛峥;王丽琴
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种闪存器件的多晶字线顶端区域的制作方法,适用于闪存器件的多晶字线及连接的双二极管结构的制作,包括:在P型硅衬底上形成N阱、深层N阱和P阱;在P型硅衬底上形成浅沟槽隔离STI;在STI上形成多晶字线,其中奇数多晶字线顶端成圣诞树形状,通过上层的接触孔经金属层与双二极管结构连接;在STI中通过离子注入,先后在P型源极区和N阱之间形成P型轻掺杂区、P型源极区和P型漏极区以及N型栅极区,构成双二极管结构;对奇数多晶字线、P型源极区、N型栅极区和P型漏极区形成上层接触孔后,其中奇数多晶字线和P型源极区分别通过上层接触孔与同一金属层连接。该方法保证了所制造的闪存器件在应用端具有更好的可靠性。
搜索关键词: 闪存 器件 多晶 顶端 区域 制作方法
【主权项】:
一种闪存器件的多晶字线顶端区域的制作方法,适用于闪存器件的多晶字线及连接的双二极管结构的制作,包括:在P型硅衬底上形成N阱、深层N阱和P阱;在P型硅衬底上形成浅沟槽隔离STI;在STI上形成多晶字线,其中奇数多晶字线顶端成圣诞树形状,通过上层的接触孔经金属层与双二极管结构连接;在STI中通过离子注入,先后在P型源极区和N阱之间形成P型轻掺杂区、P型源极区和P型漏极区以及N型栅极区,构成双二极管结构;对奇数多晶字线、P型源极区、N型栅极区和P型漏极区形成上层接触孔后,其中奇数多晶字线和P型源极区分别通过上层接触孔与同一金属层连接。
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