[发明专利]改善碳纳米管薄膜场发射性能的方法无效
| 申请号： | 200910055600.7 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101615544A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 徐东;赵波;陈长鑫;张亚非 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米材料技术领域的改善碳纳米管薄膜场发射性能的方法，包括如下步骤：在平面基底上镀覆金属薄膜；在金属薄膜上沉积碳纳米管薄膜；超声纳米焊接金属薄膜与碳纳米管薄膜，得到场发射性能改善的碳纳米管薄膜。本发明的方法使碳纳米管薄膜与金属基体间形成良好的机械和电学接触，得到开启电场低、发射电流密度大、电流稳定性好的场发射器件。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 纳米 薄膜 发射 性能 方法 | ||
【主权项】：
1、一种改善碳纳米管薄膜场发射性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，在平面基底上镀覆金属薄膜；步骤二，在金属薄膜上沉积碳纳米管薄膜；步骤三，超声纳米焊接金属薄膜与碳纳米管薄膜，得到场发射性能改善的碳纳米管薄膜。
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