[发明专利]一种TFT阵列结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200910055777.7 | 申请日： | 2009-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101989015A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 赵本刚;袁剑峰;李雄平;马小军;时伟强 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种TFT阵列结构及其制造方法，所述TFT阵列结构包括：基板；形成于基板上的栅电极扫描线和与所述栅电极扫描线一体的栅电极；形成于栅电极上的栅电极绝缘层；形成于栅电极绝缘层上的半导体有源层；形成于栅电极绝缘层上的数据线、漏电极、与所述数据线一体的源电极，其中漏电极和源电极部分搭接到所述半导体有源层上；形成于栅电极绝缘层上的公共电极；形成于数据线、漏电极、源电极和公共电极上的钝化层，并在漏电极上形成钝化层过孔；形成于钝化层上的像素电极，并通过所述漏电极上的钝化层过孔与所述漏电极相连；其中，公共电极至少部分采用透明材料。本发明提供的TFT阵列结构可以兼顾开口率的提高、存储电容的优化和引线电阻的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 阵列 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列结构，其特征在于，包括：基板；栅电极扫描线和与所述栅电极扫描线一体的栅电极，形成于所述基板上；栅电极绝缘层，形成于所述栅电极扫描线和栅电极上；半导体有源层，形成于所述栅电极绝缘层上；数据线、漏电极、与所述数据线一体的源电极，形成于所述栅电极绝缘层上，其中，漏电极和源电极部分搭接到所述半导体有源层上；公共电极，形成于所述栅电极绝缘层上；钝化层，形成于所述数据线、漏电极、源电极和公共电极上，并在所述漏电极上形成钝化层过孔；像素电极，形成于钝化层上，并通过所述漏电极上的钝化层过孔与所述漏电极相连；其中，所述公共电极至少部分采用透明材料。
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