[发明专利]电子封装用镀钨SiC颗粒增强铜基复合材料的制备方法

摘要

本发明公开一种电子封装用镀钨SiC颗粒增强铜基复合材料的制备方法，原料的组分及体积百分比含量为：镀钨SiC颗粒50％-75％，添加元素0.5％-3％，Cu基体22％-49.5％；其中所述添加元素为Fe、Co、Ni中的一种或几种。复合材料采用混粉、压制、熔渗和复压工艺制备，其中所述Cu基体分为Cu金属粉末及Cu金属块，分别在压制坯料前后加入。本发明采用表面镀钨的SiC颗粒及添加了合金元素，极大改善了物相之间相互的润湿性，因此所制备的材料具有优良的导热率、热膨胀系数和力学性能；所采用的液相熔渗方法具有操作简单、成本低廉、材料致密度高和适合规模化生产的优势。

主权项

1、一种电子封装用镀钨SiC颗粒增强铜基复合材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)原料的的组分及体积百分比为：镀钨SiC颗粒50-75％，添加元素0.5-3％，Cu基体22-49.5％；所述添加元素为Fe、Co、Ni中的一种或几种；所述Cu基体中，Cu金属粉末为原料总体积百分比的10-20％，其余为Cu金属块；2)将Cu金属粉末、添加元素粉末及镀钨SiC颗粒混粉，混粉时间为1-20小时，混粉转速为30-100转/分钟；3)在50MPa-150MPa压强下，将混粉后的粉末压制成坯料；4)将Cu金属块与压制成型的坯料在熔渗炉中进行熔渗；熔渗温度为1100-1350℃，熔渗气氛为氢气气氛；熔渗速度为2-5min/mm，熔渗时间＝熔渗速度×所制备的复合材料厚度；5)对熔渗完成后的样品进行复压，复压压强为100-500MPa，复压时间为10秒-1分钟；制得电子封装用镀钨SiC颗粒增强铜基复合材料。