[发明专利]光刻方法无效
| 申请号： | 200910056254.4 | 申请日： | 2009-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101995765A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 覃柳莎;安辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻方法，包括：对硅片表面进行清洗、脱水和成膜处理；在处理后的硅片表面旋涂一层光刻胶；在光刻胶表面旋涂一层水膜；在涂有水膜的光刻胶表面旋涂一层顶部抗反射层(TARC)膜；对涂有TARC膜的光刻胶依次进行对准、曝光和显影。应用本发明所述的方案，能够减少TARC溶液的用量，进而降低光刻工艺的实现成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，该方法包括：对硅片表面进行清洗、脱水和成膜处理；在处理后的硅片表面旋涂一层光刻胶；在光刻胶表面旋涂一层水膜；在涂有水膜的光刻胶表面旋涂一层顶部抗反射层TARC膜；对涂有TARC膜的光刻胶依次进行对准、曝光和显影。
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