[发明专利]在沟槽底部形成通孔的方法无效
| 申请号： | 200910056454.X | 申请日： | 2009-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101996925A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;黄怡;尹晓明;沈满华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在沟槽底部形成通孔的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；于所述半导体衬底上形成一介质层，所述介质层中具有沟槽；在介质层的表面形成抗反射层，所述抗反射层覆盖沟槽底部和侧壁；在抗反射层表面形成光刻胶层；图形化所述光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀抗反射层和介质层。本发明的优点在于，在形成光刻胶层之前，首先在沟槽底部形成一层抗反射层，目的在于降低沟槽表面对光的反射，使光刻胶能够吸收更多的能量，保证沟槽中的光刻胶能够充分曝光，进而保证能够在沟槽的底部通过刻蚀工艺形成通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 底部 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种在沟槽底部形成通孔的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；于所述半导体衬底上形成一介质层，所述介质层中具有沟槽；在介质层的表面形成抗反射层，所述抗反射层覆盖沟槽底部和侧壁；在抗反射层表面形成光刻胶层；图形化所述光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀抗反射层和介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910056454.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
