[发明专利]薄膜晶体管阵列基板制造方法

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，该制造方法对第一金属层、第二金属层和第三金属层分别采用三道光罩形成具有不同高度的光刻胶层，且先在第二金属层上直接形成第三金属层，然后沉积形成钝化层，因而减少了一道光罩工序，可以简化制造过程，降低成本，提高产量。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一基板，并该基板上形成一第一金属层和一第一光刻胶层，利用一第一光罩在该第一金属层之上形成一第一光刻胶图案，其具有栅线区、栅极区和栅焊盘区，其中覆盖该栅线和栅极区的光刻胶层具有第二高度，覆盖该栅焊盘区的光刻胶层具有第一高度，该第二高度小于该第一高度；以该第一光刻胶图案为掩模，去除部分第一金属层，以形成一包含栅线、栅极和栅焊盘下电极的第一导电图案层；去除第二高度光刻胶层，同时减薄了第一高度的光刻胶层；在基板上依次沉积一栅绝缘层、一半导体层和一欧姆接触层；去除剩余的第一高度的光刻胶层，同时也将其上的栅绝缘层、半导体层以及欧姆接触层一同去除，以暴露被该具有第一高度的光刻胶层所覆盖的栅焊盘下电极；在该基板上继续依次沉积一第二金属层和一第二光刻胶层，利用一第二光罩在该第二金属层之上形成一第二光刻胶图案，其具有一沟道区、一数据线和源极区、以及一漏极和数据焊盘、栅焊盘区，覆盖该沟道区的光刻胶层具有第四高度，覆盖该数据线、源极区、漏极区、数据焊盘区和栅焊盘区的光刻胶层具有第三高度，且该第三高度＞第四高度；以该第二光刻胶图案为掩模，去除没有光刻胶部分的第二导电金属层、半导体层以及欧姆接触层后，去除具有第四高度的光刻胶图案，同时减薄具有第三高度的光刻胶图案，在经过蚀刻，以形成源极、漏极、沟道以及数据线下电极和数据焊盘下电极；在该基板上继续沉积一透明导电层和一第三光刻胶层，利用一第三道光罩形成一第三光刻胶图案，覆盖数据焊盘区、栅焊盘区和像素区的光刻胶层具有第六高度，覆盖数据线和源极区、漏极区的光刻胶层具有第五高度，其它地区无第三光刻胶层，且该第五高度小于第六高度；以该第三光刻胶图案为掩模，形成像素电极、源极上电极、漏极上电极以及数据线上电极和数据焊盘、栅焊盘上电极；去除第五高度第三光刻胶层，同时减薄了第六高度的第三光刻胶层，继续沉积钝化层，去除剩余的第六高度的第三光刻胶层，同时也将其上的钝化层一同去除，以暴露被该具有第六高度的光刻胶层所覆盖的像素电极、数据焊盘和栅焊盘上电极。