[发明专利]双镶嵌结构的形成方法及半导体结构

摘要

一种双镶嵌结构的形成方法及半导体结构，其中半导体结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的金属布线层；位于所述金属布线层上的阻挡层；位于所述阻挡层上的层间绝缘层；位于所述层间绝缘层上的保护层；沟槽，贯穿所述保护层并位于所述层间绝缘层内；底部抗反射层，填充所述沟槽并位于所述保护层表面；位于所述底部抗反射层上的隔离层。本发明使得底部抗反射层能够在返工之后还能够正常使用，节约了费用投入和工艺时间。

主权项

一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供带有金属布线层的半导体衬底；在金属布线层上依次形成阻挡层、层间绝缘层、保护层；在保护层表面形成第一光刻胶图形；以所述第一光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀保护层、部分层间绝缘层，形成沟槽；去除第一光刻胶图形；形成填充所述沟槽并位于保护层表面的底部抗反射层；在所述底部抗反射层表面形成隔离层；在所述隔离层表面形成第二光刻胶图形；以所述第二光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀隔离层、底部抗反射层、层间绝缘层和阻挡层直至暴露出金属布线层，形成接触孔；去除第二光刻胶图形、隔离层和底部抗反射层。