[发明专利]顶层铜互连层的制作方法有效
| 申请号： | 200910056768.X | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101996933A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种顶层铜互连层的制作方法，所述顶层铜互连层在其他铜互连层表面形成，该方法包括：在刻蚀终止层的表面沉积掺有氟离子的硅玻璃FSG层；在FSG层的表面沉积SiON层；刻蚀所述SiON层和FSG层，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成双大马士革结构；将上述形成的器件置入反应腔内进行高温灰化处理，将形成双大马士革结构时，FSG层吸收的水气挥发出去；利用物理气相沉积的方法，在所述双大马士革结构内形成铜互连线，并对其进行化学机械抛光处理。采用该方法能够有效防止形成顶层铜互连层之后，沉积在FSG层上的钝化层(氮化硅层)表面出现气泡缺陷(bubbles defect)。 | ||
| 搜索关键词： | 顶层 互连 制作方法 | ||
【主权项】：
一种顶层铜互连层的制作方法，所述顶层铜互连层在其他铜互连层表面形成，该方法包括：在刻蚀终止层的表面沉积掺有氟离子的硅玻璃FSG层；在FSG层的表面沉积SiON层；刻蚀所述SiON层和FSG层，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成双大马士革结构；将上述形成的器件置入反应腔内进行高温灰化处理，将形成双大马士革结构时，FSG层吸收的水气挥发出去；利用物理气相沉积的方法，在所述双大马士革结构内形成铜互连线，并对其进行化学机械抛光处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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