[发明专利]超级结MOSFET的制作方法无效
| 申请号： | 200910057132.7 | 申请日： | 2009-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101872724A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 缪燕;谢烜;肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/306;H01L21/31;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结MOSFET的制作方法，其在对沟槽进行填充的时候，先利用外延工艺将P-型外延填入沟槽，然后利用多晶硅将沟槽填满；之后完成后续的工艺步骤。本发明中P-薄层结构是通过P-型外延先填入沟槽，再利用多晶硅将沟槽填满，可以利用多晶硅更好的沟槽填充能力减少沟槽填充工艺的复杂性，利用多晶硅的高批量处理能力，减少工艺的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 mosfet 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超级结MOSFET的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在N-型外延硅片上生长氧化膜作为下面要成长的介质膜的缓冲层，然后再在硅片上成长作为介质膜的氮化硅；(2)利用光刻形成沟槽的图形；(3)利用氮化硅作掩膜或利用光刻胶作掩膜完成沟槽的刻蚀；(4)利用外延工艺将P-型外延填入沟槽；(5)利用多晶硅将沟槽填满；(6)利用氮化硅作为阻挡层，进行多晶硅和P-型外延的回刻蚀或化学机械研磨；(7)将氮化硅膜和氧化硅膜去除得到交替的P-型和N-型结构；(8)利用现有成熟工艺形成栅氧化，多晶硅栅极，P型阱，源极，P+接触区，接触孔，表面金属，背面金属，得到MOSFET器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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