[发明专利]获得交替P型和N型半导体器件结构的方法及其器件结构有效
| 申请号： | 200910057150.5 | 申请日： | 2009-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101877307A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/31;H01L21/311;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种获得交替P型和N型半导体器件结构的工艺方法，在N+硅基板上形成N-外延层，在所述N-外延层上生长一层氧化硅膜，然后在所述N-外延层上成长一层介质膜；涂光刻胶，利用光刻形成沟槽的图形；利用所述介质膜作掩膜或利用光刻胶作掩膜完成沟槽的刻蚀；利用外延工艺将P型外延层填入所述沟槽中；利用介质膜作为阻挡层，进行P型外延层的化学机械研磨；去除介质膜，得到交替的P型和N型半导体薄层器件结构。本发明还公开了具有交替P型和N型半导体薄层的器件结构，以及MOS器件单元结构。本发明能够有效简化工艺流程，适于实施器件批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 获得 交替 半导体器件 结构 方法 及其 器件 | ||
【主权项】：
一种获得交替P型和N型半导体器件结构的工艺方法，其特征在于：步骤一、在N+硅基板上形成N-外延层，在所述N-外延层上生长一层氧化硅膜，然后在所述N-外延层上成长一层介质膜；步骤二、涂光刻胶，利用光刻形成沟槽的图形；步骤三、利用所述介质膜作掩膜或利用光刻胶作掩膜完成沟槽的刻蚀；步骤四、利用外延工艺将P型外延层填入所述沟槽中；步骤五、利用介质膜作为阻挡层，进行P型外延层的化学机械研磨；步骤六、去除介质膜，得到交替的P型和N型半导体薄层器件结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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