[发明专利]形成交替的P型和N型单晶硅结构的方法

摘要

本发明公开了一种形成交替的P型和N型单晶硅结构的方法，该方法先在沟槽中淀积一层高掺杂浓度的P型单晶硅或P型多晶硅，然后采用扩散工艺将P型杂质扩散到沟槽的侧壁和底部从而在沟槽的侧壁和/或底部形成P型层，最后将所淀积的P型单晶硅或P型多晶硅氧化为为二氧化硅。本发明所述方法降低了传统的P型外延方法对外延或淀积工艺的工艺要求，还可以得到无缝的沟槽填充效果，从而提高采用此种工艺的半导体器件的可靠性。

主权项

一种形成交替的P型和N型单晶硅结构的方法，其特征是，所述交替的P型和N型单晶硅结构是在N型硅外延层和/或N型重掺杂硅衬底上形成的P型层，所述P型层是指由P型单晶硅所构成的一沟槽的侧壁和/或底部；所述方法包括如下步骤：第1步，在N型重掺杂硅衬底上具有一层N型外延层，其上热氧化生长或淀积有一层二氧化硅，其上再淀积有一层介质层；第2步，在硅片上已刻蚀一沟槽，穿过介质层、二氧化硅层、部分或全部外延层，沟槽底部位于外延层或硅衬底；第3步，在沟槽中淀积一层高掺杂浓度的P型单晶硅或P型多晶硅；第4步，采用扩散工艺将P型单晶硅或P型多晶硅中的P型杂质扩散到沟槽的侧壁和底部，使沟槽的侧壁和/或底部由原来的N型单晶硅变为P型单晶硅从而形成一P型层；第5步，去除硅片表面的介质层；第6步，采用干法刻蚀工艺反刻硅片表面的二氧化硅直至刻蚀到外延层；第7步，在硅片表面淀积一层不掺杂的无定型硅、或不掺杂的多晶硅、或介质、或其三者的任意结合；第8步，去除外延层之上的不掺杂的无定型硅、或不掺杂的多晶硅、或介质、或其三者的任意结合。