[发明专利]将沟槽顶部拐角改善为圆角的方法有效
| 申请号： | 200910057405.8 | 申请日： | 2009-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101924018A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 彭仕敏;谢烜;彭虎 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种将沟槽顶部拐角改善为圆角的方法，在形成沟槽之后，包括以下步骤：1)在沟槽内以及硅衬底或者硅外延层上淀积一层氧化硅；2)采用等离子体轰击刻蚀，将沟槽顶部拐角打成圆角；3)进行牺牲氧化，形成牺牲氧化膜，改善顶部圆角的圆滑程度；4)除去残留的氧化层。本发明能改善沟槽的拐角，消除电荷积累，降低拐角处电场密度，从而提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 顶部 拐角 善为 方法 | ||
【主权项】：
一种将沟槽顶部拐角改善为圆角的方法，其特征在于，在形成沟槽之后，包括以下步骤：1)在沟槽内以及硅衬底或者硅外延层上淀积一层氧化硅；2)采用等离子体轰击刻蚀，将沟槽顶部拐角打成圆角；3)进行牺牲氧化，形成牺牲氧化膜，改善顶部圆角的圆滑程度；4)除去残留的氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
