[发明专利]监测膜厚均匀性的方法无效
| 申请号： | 200910057470.0 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101930938A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 孙玲玲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 陈履忠 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种监测膜厚均匀性的方法，包括如下步骤：第1步，在一个硅片的薄膜上，取硅片中心位置的一个或多个测量点测量膜厚，取硅片边缘位置的一个或多个测量点测量膜厚；第2步，将硅片中心位置一个或多个测量点的膜厚平均值减去硅片边缘位置一个或多个测量点的膜厚平均值，得到一个具有正负的差值；第3步，当所述差值在预设的正常范围内，则判定所述薄膜膜厚的中心边缘差合格；否则即判定所述薄膜膜厚的中心边缘差不合格。本发明可以监测薄膜在硅片中心位置和硅片边缘位置的厚薄差异、以及具体的膜厚差值，工程技术人员可以据此判定所形成的薄膜是否合格，并采取相应的处理方式。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种监测膜厚均匀性的方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，在一个硅片的薄膜上，取硅片中心位置的一个或多个测量点测量膜厚，取硅片边缘位置的一个或多个测量点测量膜厚；第2步，将硅片中心位置一个或多个测量点的膜厚平均值减去硅片边缘位置一个或多个测量点的膜厚平均值，得到一个具有正负的差值；第3步，当所述差值在预设的正常范围内，则判定所述薄膜膜厚的中心边缘差合格；否则即判定所述薄膜膜厚的中心边缘差不合格。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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