[发明专利]二晶体管结构的快速存取非易失性存储器存储单元有效
| 申请号： | 200910057619.5 | 申请日： | 2009-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101958149A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 谭颖;陈广龙 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二晶体管结构的快速存取非易失性存储器存储单元，是在P阱上形成左右两个N+源漏掺杂区，两个N+源漏掺杂区之间有一N埋层，靠近左边N+源漏掺杂区的N埋层上面为ONO多介质结构栅氧，上面为多晶硅，构成SONOS晶体管门栅，靠近右边N+源漏掺杂区的N埋层上面为HTO氧化层，上面为多晶硅，所述HTO氧化层及上面的多晶硅并向一侧延伸覆盖于所述ONO多介质结构栅氧上面的多晶硅之上，构成选择管门栅，所述二多晶硅之间有氮化硅隔离层，形成复合门栅结构。本发明的存储单元面积小。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 快速 存取 非易失性存储器 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种二晶体管结构的快速存取非易失性存储器存储单元，包括一个SONOS晶体管和一个选择管，其特征在于，是在P阱上形成左右两个N+源漏掺杂区，左右两个N+源漏掺杂区之间有一N埋层，靠近左边N+源漏掺杂区的N埋层上面为ONO多介质结构栅氧，ONO多介质结构栅氧上面为多晶硅，构成所述SONOS晶体管门栅，靠近右边N+源漏掺杂区的N埋层上面为HTO氧化层，HTO氧化层上面为多晶硅，所述HTO氧化层及上面的多晶硅并向一侧延伸覆盖于所述ONO多介质结构栅氧上面的多晶硅之上，构成选择管门栅，所述二多晶硅之间有氮化硅隔离层，形成复合门栅结构，所述SONOS晶体管和选择管共用左右两个N+源漏掺杂区作为源、漏极；左边的N+源漏掺杂区接存储单元的位线端，右边的N+源漏掺杂区接存储单元源线端，选择管门栅接存储单元的字线端。
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