[发明专利]一种利用双重曝光方法来检测掩模板图形形貌的方法有效
| 申请号： | 200910057684.8 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101989047A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 吴鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用双重曝光方法来检测掩模板图形形貌的方法，步骤包括：1)掩模板上的待测量图形以掩模板中心对称放置；2)硅片先完成第一次曝光后停止在光刻机曝光平台上，不做显影；3)将掩模板从光刻机取出作180度旋转后放回光刻机；4)掩模板完成对准后，硅片进行第二次曝光；5)进行随后的正常光刻流程；6)硅片上形成完整的待测量图形，进行量测。本发明除了能以传统方式观察图形形貌外，更提供了一种可以量测、量化的手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 双重 曝光 方法 检测 模板 图形 形貌 | ||
【主权项】：
一种利用双重曝光方法来检测掩模板图形形貌的方法，步骤包括：1)掩模板上的待测量图形以掩模板中心对称放置；2)硅片先完成第一次曝光后停止在光刻机曝光平台上，不做显影；3)将掩模板从光刻机取出作180度旋转后放回光刻机；4)掩模板完成对准后，硅片进行第二次曝光；5)进行随后的正常光刻流程；6)硅片上形成完整的待测量图形，进行量测。
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