[发明专利]CoolMOS的纵向区的制造方法有效

专利信息
申请号: 200910057731.9 申请日: 2009-08-07
公开(公告)号: CN101989552A 公开(公告)日: 2011-03-23
发明(设计)人: 刘远良;王飞 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/20
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 陈平
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种CoolMOS的纵向区的制造方法,该方法将纵向区分为两部分,第一部分为单晶硅在下方,第二部分为多晶硅在上方。之所以采用两部分不同材料的纵向区结构,是由于如果完全由单晶硅形成纵向区,从生产工艺上很难实现,容易在纵向区中出现封闭空洞。考虑到多晶硅具有良好的沟槽填充性能(填孔特性),因此本发明增加了多晶硅,一方面对单晶硅中的开口空洞进行填充,另一方面对剩余高度的纵向区进行补全。本发明将CoolMOS的纵向区由传统的单晶硅变为一段单晶硅与一段多晶硅相接,利用多晶硅良好的填孔特性,改善了现有工艺中纵向区容易出现空洞的问题。
搜索关键词: coolmos 纵向 制造 方法
【主权项】:
一种CoolMOS的纵向区的制造方法,其特征是,包括如下步骤:第1步,在硅衬底上生长一层外延层,该外延层的厚度为CoolMOS的外延层要求的厚度;第2步,采用光刻和刻蚀工艺,在外延层中刻蚀出沟槽,该沟槽的位置、深度分别为CoolMOS的纵向区的位置、要求的高度;该沟槽的底部在硅衬底的上表面或更上方;第3步,在硅片表面采用外延工艺淀积一层单晶硅,该层单晶硅将沟槽部分填充,沟槽中的单晶硅无空洞或仅有开口空洞;第4步,在硅片表面再淀积一层多晶硅,该层多经过将沟槽完全填充;当第3步中淀积的沟槽中的单晶硅具有开口空洞时,该层多晶硅也将单晶硅中的开口空洞完全填充;第5步,采用干法刻蚀工艺反刻硅片表面的多晶硅和单晶硅,直至露出外延层上表面。
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