[发明专利]保护套刻标记图形的方法有效
| 申请号： | 200910057780.2 | 申请日： | 2009-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101996866A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 阚欢;吴鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/312;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种保护套刻标记图形的方法，所述套刻标记图形已形成于硅片上，所述方法应用于对硅片进行多次光刻，每次光刻后紧跟着进行离子注入的情况，所述多次光刻共用所述套刻标记图形；所述方法为：每次光刻时，形成一部分光刻图形覆盖在套刻标记图形的至少是内边界的上方；每次离子注入后，去除光刻胶。本发明由于在每次离子注入之前，使用光刻图形的一部分保护套刻标记图形的至少是内边界，使得离子注入时套刻标记图形的内边界不会受到离子轰击，从而使得套刻标记图形的内边界不会受到损伤而可以多次复用。 | ||
| 搜索关键词： | 护套 标记 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种保护套刻标记图形的方法，其特征是，所述套刻标记图形已形成于硅片上，所述方法应用于对硅片进行多次光刻，每次光刻后紧跟着进行离子注入的情况，所述多次光刻共用所述套刻标记图形；所述方法为：每次光刻时，形成一部分光刻图形覆盖在套刻标记图形的至少是内边界的上方；每次离子注入后，去除光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
