[发明专利]使用X-射线特征谱对SiGe薄膜进行定量分析的方法有效
| 申请号： | 200910057929.7 | 申请日： | 2009-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102023172A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈建钢;吴长亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/083 | 分类号： | G01N23/083;G01N23/223;G01N23/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用X-射线特征谱对SiGe薄膜进行定量分析的方法，该方法包括使用CVD(化学气相沉积)SiGe(锗硅)标准多层渐变薄膜作为标准样品，使用SIMS(二次离子质谱仪)测定其成分，并作为SiGe的X-射线特征谱(EDS)分析中的标准成分；以及由此获得的能够对SiGe工艺薄膜进行EDS定量分析的技术方法(包括由实验获得的，适用于SiGe工艺薄膜定量分析的Cliff-Lorimer因子，系数KSiGe)。本发明填补了SiGe薄膜项目和X-射线特征谱对材料定量分析的技术空白，其过程简单、可操作性强，大大降低了生产费用，并提高效率。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 射线 特征 sige 薄膜 进行 定量分析 方法 | ||
【主权项】：
一种使用X‑射线特征谱对SiGe薄膜进行定量分析的方法，其特征在于，包含以下步骤：(1)使用化学气相沉积SiGe标准多层渐变薄膜作为标准样品；(2)使用二次离子质谱仪测定标准样品的成分，并作为SiGe的X‑射线特征谱分析中的标准成分；(3)对SiGe标准多层渐变薄膜进行多点的等厚度X‑射线特征谱定量分析，参照步骤(2)中二次离子质谱仪测定的标准成分数据，获得其Si，Ge的X‑射线特征谱与SiGe厚度的关系；(4)将化学气相沉积工艺完成后的SiGe薄膜制成透射电镜样品，进行多点的等厚度X‑射线特征谱定量分析，根据步骤(3)得到的SiGe标准多层渐变薄膜X‑射线特征谱与SiGe厚度的关系，使用定量分析公式及系数修正，最终获得工艺SiGe薄膜的Si，Ge原子百分比与厚度的关系。
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