[发明专利]电压基准电路

摘要

本发明公开了一种电压基准电路，在已有的传统常用带隙基准电压源电路结构基础上增加固定偏置电路和启动、过压保护电路，在固定偏置电路中实现一倍双极型晶体管基极射极PN结电压VBE和二倍双极型晶体管基极射极PN结电压2VBE，再通过启动、过压保护电路实现双极型晶体管基极射极PN结电压与带隙基准电压源输出的基准电压的比较控制，使带隙基准电压源正常工作的输出基准电压限定在安全的范围内，当输出的基准电压过高时，能实现电路的自动保护，并且结构简单，适合在各种双极型晶体管和金属氧化物场效应管兼容的工艺下制造。

主权项

一种电压基准电路，其特征在于，包括一带隙基准电压源，一两倍BJT管基极发射极PN结电压偏置电路，一过压保护电路；所述带隙基准电压源包括MOS管偏置电流镜部分、同类型比例双极型晶体管部分、一运算放大器、匹配电阻；所述同类型比例双极型晶体管部分包括第一BJT管、第二BJT管、第一电阻，其中第一BJT管的有效发射区面积是第二BJT管的N倍，N＞1，第一BJT管、第二BJT管都连接成PN结构；所述MOS管偏置电流镜部分包括第三PMOS管，第三PMOS管的栅极接所述运算放大器的输出端，漏极接所述匹配电阻的一端并作为基准电压输出端，所述匹配电阻包括第二电阻、第三电阻，第二电阻的另一端接所述运算放大器的正输入端和第二BJT管连接成PN结构的正端，第二BJT管连接成PN结构的负端接地，第三电阻的另一端接所述运算放大器的负输入端和第一电阻的一端，第一电阻的另一端接第一BJT管连接成PN结构的正端，第一BJT管连接成PN结构的负端接地；所述两倍BJT管基极发射极PN结电压偏置电路输出双倍基极发射极PN结电压；所述过压保护电路包括第二比较器、第四PMOS管，所述第二比较器的正输入端接所述带隙基准电压源的基准电压输出端，负输入端接所述两倍BJT管基极发射极PN结电压偏置电路提供的双倍BJT管基极发射极PN结电压，输出端接所述第四PMOS管的栅极，第四PMOS管的源极接电源，漏极接所述带隙基准电压源中的第三PMOS管的源极。